等離子清洗機可解決PECVD工藝石墨舟殘留的氮化硅

在光伏太陽能電池的生產(chǎn)制造中，石墨舟是十分重要的作用，其作為裝載工具，用于承載硅片并進行PECVD工藝。PECVD全稱為等離子增強化學氣相沉積，是利用等離子體在較低溫度下進行沉積的一種薄膜生長技術(shù)，而硅片表面正是需要進行氮化硅鍍層，來提高太陽能轉(zhuǎn)化率。在這個過程中，當硅片進行氮化硅鍍層時，需要具有導電和導熱性較好的裝載工具，主要是因為氮化硅薄膜本身是一種絕緣體，具有較高的電阻率，所以裝載工具起著非常重要的作用，它不僅是硅片的支撐結(jié)構(gòu)，還能提供良好的導熱和導電性能。但如果裝載工具的導電和導熱性能不佳，會導致氮化硅鍍層與裝載工具之間的接觸電阻增大，從而影響硅片的導電性能和熱傳導性能。因此，為了確保硅片氮化硅鍍層的穩(wěn)定性和質(zhì)量，需要選擇具有良好導電和導熱性能的裝載工具，而石墨舟對以上的條件完全符合。石墨舟具有以下優(yōu)點：1.熱膨脹系數(shù)小，與硅片相近，所以加熱后溫度變化時，石墨舟和硅片的熱膨脹差異小，避免因熱應力導致硅片的損傷。2.化學穩(wěn)定性好，不易與鍍膜介質(zhì)發(fā)生反應，從而保證了鍍膜過程的穩(wěn)定性和硅片的表面質(zhì)量。3.導熱性好，有利于快速冷卻和加熱，可以更快地進行鍍膜和冷卻，提高生產(chǎn)效率。4.結(jié)構(gòu)強度高，不易變形或損壞，保證了硅片的穩(wěn)定性和精度。5.石墨舟的表面質(zhì)量好，平整、光滑、無孔洞等缺陷，從而可以保證硅片的表面質(zhì)量和精度。

但是，當硅片表面進行氮化硅鍍膜時，石墨舟作為裝載工具不可避免的也會沉積上氮化硅薄膜，當薄膜厚度累計到一定程度時將會影響到硅片的鍍膜效果。首先，氮化硅的殘留將會影響石墨舟的導電和導熱性，導電性能不佳，會導致硅片在鍍膜過程中出現(xiàn)電位不均、電場分布不均勻等問題，從而影響氮化硅鍍層的均勻性和質(zhì)量；導熱性能不佳，會導致硅片在鍍膜過程中的溫度控制不穩(wěn)定，從而影響氮化硅鍍層的結(jié)構(gòu)和性能。其次，隨著使用次數(shù)的增加，石墨舟表面沉積的氮化硅會越來越多，這會導致鍍膜時電場強度的變化，進而影響鍍膜速度以及鍍膜厚度，從而導致色差片的產(chǎn)生。例如，當石墨舟表面沉積的氮化硅較厚時，鍍膜時電場強度高，鍍膜速度快，尤其硅片與石墨舟葉接觸處更易使硅片沉積較厚氮化硅，導致硅片鍍的膜較厚，硅片顏色偏白，因此不符合質(zhì)量標準。

面對“如何清除石墨舟上殘留的氮化硅”這個問題，整個行業(yè)實現(xiàn)了從濕法清洗到干法清洗的選擇的過程。濕法清洗成本高、效率低、還易損傷基材，更為關(guān)鍵的是，濕法清洗已經(jīng)不滿足現(xiàn)代工業(yè)的工藝要求，因此，更為安全環(huán)保的干法清洗技術(shù)成為多個行業(yè)領域的重要伙伴，等離子清洗技術(shù)就是一種既高效又環(huán)保的干法清洗方式。

PECVD是通過在兩個舟片之間產(chǎn)生輝光放電，分解腔室中的SiH4和NH3氣體，形成Si和N的離子，相結(jié)合形成SiNx分子，沉積在硅片表面，達到其鍍膜目的。而等離子清洗氮化硅，是通過等離子體中的活性物質(zhì)與氮化硅表面發(fā)生碰撞和化學反應，打斷氮化硅的化學鍵，使其分解成氣態(tài)的硅烷、氮氣等物質(zhì)。同時，等離子體中的高能電子也會對氮化硅進行轟擊，進一步促進其分解。等離子清洗機對氮化硅的處理效果是十分顯著的，在未處理前，石墨舟表面的氮化硅殘質(zhì)顏色清晰，與石墨舟本質(zhì)具有明顯的差別，且氮化硅殘質(zhì)遍布舟片內(nèi)外；經(jīng)等離子體處理后，憑目視觀測，石墨舟內(nèi)外表面已無明顯的氮化硅殘質(zhì)，原先殘留的部分其顏色已恢復為本質(zhì)顏色。

（石墨舟處理前）

（石墨舟等離子處理后）

等離子清洗機對處理石墨舟氮化硅殘質(zhì)具有的優(yōu)勢：1.充分清洗，等離子體不受材料的形狀和厚度的影響，能夠?qū)κ蹆?nèi)外進行充分的清洗處理。2.不損傷基體性能，，只作用在材料表面。3.環(huán)保無污染，全程干燥的處理方式，不消耗水資源、無需添加化學藥劑、不產(chǎn)生污染。4.規(guī)格適用廣，可根據(jù)不用尺寸的石墨舟大小，定制設備容量。